半导体材料
第一代硅基，第二代砷化镓、磷化铟，第三代氮化镓、氮化铝、碳化硅、硒化锌等半导体基底材料，金刚石、玻璃、陶瓷等介电材料基底材料镀膜和刻蚀，碳化硅刻蚀环，TGV深孔镀膜。
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Product Center
应用方向：科研与教学产品优势：效率高+多功能；垂直溅射+倾斜共溅射产品配置：★样片数量及尺寸：6片Ф2英寸（垂直溅射）+ 1片Ф4英寸（共溅射）★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支；可调角度；可调距离★溅射方向：样品下置（自上而下溅射...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：倾斜共溅射，大尺寸片状样品镀膜+小批量生产产品配置：★样片数量及尺寸： 1片Ф4英寸以上~Ф10英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支；可调角度；可调距离★溅射方向：样品下置（自上而下溅射）或 样品上置...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸： 1片Ф2英寸~Ф6英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。单片装，样品自动运送。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支；可调角度★溅...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：倾斜共溅射，单片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸： 1片Ф2英寸~Ф6英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。单片装，样品自动运送。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支；可调角度★溅...
了解更多应用方向：小批量生产产品优势：垂直溅射多片大尺寸片状样品产品配置：★样片数量及尺寸： 6-9片；Ф3英寸~Ф8英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支★溅射方向：样品下置（自上而下溅射）、样品上置（自下而上溅射）★样品台旋转：公转同...
了解更多应用方向：小批量生产产品优势：贵重材料高利用率镀膜生产产品配置：★样片数量及尺寸： 6-8片；Ф3英寸~Ф6英寸★溅射材料：贵重金属★溅射腔体：高真空系统。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支★溅射方向：样品下置（自上而下溅射）★样品台旋转：公转同时自转；仅公转★加热：常规加热，可选高温加热★电源配...
了解更多应用方向：小批量生产产品优势：垂直溅射，多片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸： 6-9片；Ф3英寸~Ф8英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★Load-Lock：低真空系统、高真空系统。6-9片装，样品自动运送。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2-4支★溅射方向：样...
了解更多应用方向：小批量生产产品优势：倾斜共溅射，多片送样室+多片取样室（双Load-Lock）★样片数量及尺寸： 6-9片；Ф3英寸~Ф8英寸★溅射材料：金属；非金属；化合物等薄膜材料。★溅射腔体：高真空系统。★Load-Lock：两个预真空室，低真空系统、高真空系统。6-9片装，样品自动运送。★溅射不均匀性：≤±3%-±5％★磁控靶：2...
了解更多圆形靶磁控溅射设备，采用特殊设计，样片大小可达到Φ14.5英寸垂直溅射模式，支持公转+自转及公转换位+定点自转两种模式小靶溅射大样品：φ6英寸靶可溅射φ10英寸样片盘，一炉四盘φ8英寸靶可溅射φ14.5英寸样片盘，一炉四盘最多支持4靶，可选配射频离子源清洗及偏压辅助沉积功能适用于代工企业生产、小批量多品种生产及多种...
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应用方向：科研与教学产品优势：负角度刻蚀降低反污染，热态、冷态两种中和系统，刻蚀腔体前后开门产品配置：★离子源种类：考夫曼离子源★离子源口径：Φ160mm/220mm★中和方式：灯丝、冷态等离子体桥★样片数量及尺寸：1片Φ100mm/150mm样品★刻蚀材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。★刻蚀腔体：...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：负角度刻蚀，冷态中和系统产品配置：★离子源种类：考夫曼离子源★离子源口径：Φ150mm/Φ220mm★中和方式：灯丝、冷态等离子体桥★样片数量及尺寸：1片Φ200mm样品（Φ150mm离子源）/1片Φ250mm样品（Φ220mm离子源）★刻蚀材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。★刻蚀...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：负角度刻蚀降低反污染，热态、冷态两种中和系统，刻蚀腔体前后开门产品配置：★离子源种类：考夫曼离子源★离子源口径：Φ160mm/220mm★中和方式：灯丝、冷态等离子体桥★样片数量及尺寸：1片Φ100mm/150mm样品★刻蚀材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。★刻蚀腔体：...
了解更多大口径反应离子束刻蚀机圆形样品最大Φ12英寸，长方形样品最大1200mm×2000mm部分尺寸样品支持带角度刻蚀部分尺寸样品支持斜齿光栅及闪耀光栅刻蚀部分尺寸样品支持微球面闪耀光栅刻蚀...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：耐氯基强腐蚀气体，带双片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸★刻蚀材料：包括并不限于GaN、GaAs、InP、Al、Cr、单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、Mo、聚合物等。★刻蚀腔体：高真空系统★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。双片装，样品自动运送。★刻蚀...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：刻蚀速率控制方便，耐氟基或更弱腐蚀性气体，带双片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸★刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等★刻蚀腔体：高真空系统★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。双片装，样品自动运送。★刻蚀不均匀...
了解更多应用方向：批量生产产品优势：去胶+修胶+刻蚀，针对大尺寸片状样品产品配置：★样片数量及尺寸：1片450mm×450mm样片★刻蚀材料：包括并不限于Si、SiOx、SiNx、部分金属（如W、Mo）、聚合物等★刻蚀腔体：高真空系统★刻蚀不均匀性：±3%-±6%★刻蚀速率：0.1-4μm/min（视具体材料与工艺）★工作台：包含水冷★电源配置：上...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：耐氟基或更弱腐蚀性气体产品配置：★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸★刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等★刻蚀腔体：高真空系统★刻蚀不均匀性：±3%-±6%★刻蚀速率：0.1-4μm/min（视具体材料与工艺）★工作台：可升降，包含水冷★电源配置：上电射频，下电...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：耐氟基或更弱腐蚀性气体，带双片送取样室（Load-Lock）产品配置：★样片数量及尺寸：1片Ф6英寸★刻蚀材料：包括并不限于单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Ti、W、聚合物等★刻蚀腔体：高真空系统★Load-Lock：低真空系统 或 高真空系统。双片装，样品自动运送。★刻蚀不均匀性：±3%-±6%★刻蚀...
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垂直式等离子设备，属于真空腔体型等离子清洗机，核心特征：板材 / 工件竖直悬挂、垂直堆叠放置，电极呈竖向排布；物料垂直进出腔体，区别于工件水平平铺的卧式等离子清洗机。主流应用：PCB 线路板、FPC、LED 支架、半导体封装、晶圆清洗。工作原理真空腔体内通入工艺气体（O₂、Ar、N₂、CF₄、H₂），射频电源（常用 40kH...
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应用方向：科研与小批量生产产品优势：大尺寸片状样品退火工艺产品配置：★退火台数量及尺寸：2个400mm×400mm★退火腔体：高真空系统★退火台加热：高温加热★温度控制：多段控温模式，控温精度±1℃★退火平台表面温度不均匀性：≤±5℃★气体保护：氮气★侧壁水冷系统：包含★氧化/氮化处理：可选配小流量质量流量...
了解更多应用方向：科研与教学产品优势：大尺寸片状样品去胶 ，均匀性高产品配置：★样品数量及尺寸：1片Φ6英寸（或以下）★腔体：低真空系统★刻蚀材料：光刻胶、聚酰亚胺、Si基（Si、SiO、SiN）等材料★去胶速率：100～500nm/min★电源配置：射频★操作模式：全自动+半自动控制设备详细结构与功能，请咨询销售工程师。...
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