刻蚀设备
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DISC-IBE-150C/200C
·科研及生产设备，带有工业设计外观
·配套圆形考夫曼直流离子源，最大口径φ22cm
·样片台可负角度调节，防止反溅污染
·支持等离子体桥冷态中和方式
·适用于最大Φ6寸片状样品刻蚀 -
MIBE-150B/200B
·科研及生产设备
·配套圆形考夫曼直流离子源，最大口径φ22cm
·样片台可负角度调节，防止反溅污染
·支持等离子体桥冷态中和方式
·适用于最大φ6英寸片状样品，也支持棒状、锥形样品侧壁刻蚀 -
DISC-RIBE150C/200C
·科研及生产设备，带有工业设计外观
·配套圆形射频离子源，最大口径φ23cm
·样片台可负角度调节，防止反溅污染
·支持等离子体桥冷态中和方式
·适用于最大φ8英寸片状样品刻蚀 -
MRIBE-150D反应离子束刻蚀机
·科研及生产型设备
·配套圆形射频离子源，支持聚束刻蚀
·用于半球、石英振子精密修形
·支持激振、Q值测试及频差测试 -
MRIBE-400C反应离子束刻蚀机
大口径反应离子束刻蚀机
圆形样品最大Φ12英寸，长方形样品最大1200mm×2000mm
部分尺寸样品支持带角度刻蚀
部分尺寸样品支持斜齿光栅及闪耀光栅刻蚀
部分尺寸样品支持微球面闪耀光栅刻蚀 -
DISC-RIE-601/801/1201
·科研及生产型设备，工业设计外观
·支持氟基反应离子刻蚀
·刻蚀距离在线调节，水冷及He冷可选
·可刻蚀Φ6英寸-Φ12英寸的片状样品 -
DISC-RIE-8100/8101
·科研及生产型设备，工业设计外观，带有进样室
·支持氯基(8101)或氟基(8100)反应离子刻蚀
·刻蚀距离在线调节，支持水冷
·适用于6英寸，Φ8英寸片状样品 -
RIE-400/800
·生产型设备
·支持氟基的反应离子刻蚀，光刻胶微结构修正
·刻蚀距离在线调节，支持水冷
·适用于最大800mm×800mm方片样品 -
DISC-ICP-601/801/1201
·科研及生产型设备，工业设计外观
·支持氟基感应耦合等离子体刻蚀
·刻蚀距离在线调节，水冷及He冷可选
·可刻蚀Φ6英寸-Φ12英寸的片状样品