应用方向：科研与教学

产品优势：负角度刻蚀降低反污染，热态、冷态两种中和系统，刻蚀腔体前后开门

产品配置：

★离子源种类：考夫曼离子源

★离子源口径：Φ160mm/220mm

★中和方式：灯丝、冷态等离子体桥

★样片数量及尺寸：1片Φ100mm/150mm样品

★刻蚀材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蚀腔体：高真空系统

★刻蚀不均匀性：±3%-±6%

★刻蚀速率：10-500nm/min（视具体材料与工艺）

★工作台：可旋转，可自传，可调距离，包含水冷

★工艺气路：1-2路

★束流检测：法拉第筒在线检测

★终点检测控制：可选配质谱仪

★操作模式：全自动+半自动控制

选型参考：DISC-IBE-150C（离子源口径160mm）；DISC-IBE-200C（离子源口径220mm）

设备详细结构与功能，请咨询销售工程师。