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一种离子束刻蚀机及其刻蚀方法

        离子束刻蚀机包含真空泵工作中室、产品工件安裝服务平台、多轴运动系统、离子源,多轴运动系统包含好几个先后联接的匀速直线运动摸组,邻近的匀速直线运动摸组中间互相竖直,匀速直线运动摸组包含直线滑轨和匀速直线运动元器件,后续匀速直线运动摸组与前面匀速直线运动元器件相接能够在前面匀速直线运动元器件的推动下匀速直线运动,离子源安裝在末级匀速直线运动元器件上,离子源可以产生电子束并在多轴运动系统的推动下沿好几个方位健身运动扫描仪离子注入产品工件。将离子源安裝在可以多方位健身运动的多轴运动系统上,电子束可以健身运动扫描仪对产品工件离子注入,离子束刻蚀机可以选用较口径的离子源进行对大容量的产品工件的离子注入生产加工,合理减少了离子束刻蚀机对离子源规格的规定,进而减少了机器设备成本费。

       现阶段,离子束刻蚀机注入(IBE)技术性是二十世纪七十年代发展趋势起来的一种干法刻蚀加工工艺,已广泛运用于米微、亚微和纳米限度超细致高高保真的图型迁移、离子注入槽形等微细生产加工中。电子束离子注入运用低动能平行面Ar+电子束对衬底表层开展负电子,将衬底表层未遮盖掩膜的一部分磁控溅射出,进而做到挑选离子注入的目地。电子束离子注入是纯物理学全过程,在各种各样基本离子注入方式中具备屏幕分辨率高、陡直性最好是等优势,而且能够对绝大多数原材料开展离子注入,如金属材料、铝合金、金属氧化物、化学物质、半导体材料、导体和绝缘体等原材料。

        伴随着强激光器系统软件输出动能的提升 ,一部分光电器件的规格已达0.5m、乃至lm。强激光器系统软件的大容量透射元器件在选用光刻技术造成周期时间薄膜光学的光刻技术掩膜后,均运用离子束刻蚀机注入将掩膜图型迁移到底材上。因而,离子束刻蚀机注入是制做大容量透射光电器件的重要环节。