欢迎访问北京创世威纳科技有限公司官方网站!客户对每件产品的放心和满意是我们一生的追求,用我们的努力,解决您的烦恼!
Banner
首页 > 新闻资讯 > 内容

离子束刻蚀机厂家分享先进侧墙蚀刻技术

离子束刻蚀机厂家分享先进侧墙蚀刻技术:

       传统的氮化硅侧墙等离子体蚀刻,通过使用高氢的碳氟气体提高选择性,通过增加离子的轰击来达到各向异性的目的。当侧墙膜层和氧化硅停止层较厚时,影响并不明显。但在一些S侧墙蚀刻中,侧墙蚀刻直接停止在硅或硅的沟道材料上。沟道材料的损伤需要严格地控制在一定程度。超过一定限度,损伤会严重影响到器件的性能。目前在传统的工业界使用的等离子体蚀刻机台上,即使采用最低的离子能量,也只能使等离子体电子温度控制在 20ev采用最优化的含有50%过蚀刻量的CHF气体的侧墙蚀刻工艺,仍然对硅基体材料造成了多达15A的损伤。

       减少基体材料的损伤,需要进一步降低电子温度来达到降低等离子体电势,以达到降低离子能量的目的。目前有效的方法包括高气压模式和同步脉冲等离子体模式。通过调整脉冲模式下的占空比,达到降低电子温度的目的。同步脉冲等离子体采用源功率射频和偏置功率射频同开同关,造成同步脉冲在稳定性方面较难控制,同时蚀刻率也急剧下降。在低电子温度的等离子体中,离子的大范围散射降低了离子的方向性,同时也减弱了蚀刻的方向性,这对于要精确控制宽度的侧墙蚀刻来说,是难以接受的。同样的,高气压蚀刻模式下,除了电子温度降低带来的离子散射问题,较长的气体驻留时间会使蚀刻的均匀性变差,需要搭配其他复杂的均匀性改进方法来一并解决此问题。

       为了解决前面讨论的问题,满足随着特征尺寸持续缩微带来的严苛需求,可以采用一种类似原子层蚀刻的方法,即首先使用H2或者He等等离子体对氮化硅表面进行处理,改变表面膜层的性质,然后使用湿法蚀刻,如稀释的氢氟酸溶液,选择性地将变性的表面膜层去掉,如图3.77所示。由于H是轻离子,与He相比几乎对氮化硅膜层没有蚀刻,因此被作为首选用于膜层处理。在电容耦合等离子体蚀刻机台中,通过调制偏置功率和注入时间,可以调整氮化硅表面膜层氢的浓度和注入深度。在氮化硅膜层中,H的浓度与随后的氢氟酸蚀刻率紧密相关。通过控制氢在氮化硅膜层中的浓度,达到性质改变的氮化硅膜层和本体氮化硅膜层之间蚀刻的选择比。在蚀刻停止在锗硅材料的侧墙蚀刻中,采用这种类原子层蚀刻方法,可以将硅损失控制在6A以内。

       感谢大家耐心看完,如果需要了解更多关于离子束刻蚀机的相关知识,欢迎联系我们!