真空蒸发镀膜机过程中的真空条件

真空蒸发镀膜机，从膜材表层挥发的颗粒以一定的速率在室内空间沿匀速直线运动，直至与别的颗粒撞击才行。在真空泵房间内，当液相中的颗粒浓度值和残留汽体的工作压力充足低时，这种颗粒从挥发源到衬底中间能够维持平行线航行，不然，便会造成撞击而更改健身运动方位。因此，提升残留汽体的平均自由程，以降低其与挥发颗粒的撞击概率，把真空泵房间内提成高真空泵是必需的。

当真空泵器皿内挥发颗粒的平均自由程超过挥发源与衬底的间距(下列称蒸距)时，便会得到充足的真空泵标准。设蒸距(挥发源与衬底的间距)为L，并把L当做是挥发颗粒己知的具体行程安排，λ为汽体分子结构的平均自由程，设从挥发源挥发出去的蒸气分子数为N0，在距离为L的挥发源与衬底中间产生撞击而透射的蒸气分子数为N1，并且假定挥发颗粒关键与残留汽体的分子或分子结构撞击而透射，则有

N1/N0=1-exp(L/λ)(1)

在室内温度(25℃)和空气压力为p(Pa)的标准下，残留汽体分子结构的平均自由程为

λ=6.65×10-1/pcm(2)

由上式测算得知，在室内温度下，p=10-2Pa时，λ=66.5厘米，即一个分子结构在与其他分子结构产生2次撞击中间约航行66.5厘米。

挥发颗粒在奔向衬底中途产生撞击的占比与汽体分子结构的具体路途对平均自由程之比率的曲线图。从图上能够看得出，当λ=L时，有63%的挥发分子结构会产生撞击。假如平均自由程提升10倍，则透射的颗粒数降低到9%，因而，挥发颗粒的平均自由程务必远远地超过蒸距才可以防止挥发颗粒在向衬底转移全过程中与残留汽体分子结构产生撞击，进而合理地降低挥发颗粒的透射状况。现阶段常见的蒸发镀膜机的蒸距均不超50cm。因而，假如要避免挥发颗粒的很多透射，在真空蒸发镀膜设备中，真空电镀室的起止真空值务必高过10-2Pa。

因为残留汽体在蒸镀全过程中对膜层的危害非常大，因而剖析真空泵房间内残留汽体的来源于，进而清除残留汽体对塑料薄膜品质的危害是关键的。真空系统中残留汽体分子结构的来源于主要是真空电镀房间内表层上的解析放气、挥发源释放出来的汽体、抽真空系统软件的反流及其机器设备的漏汽等缘故所导致的。若镀膜设备的总体设计及生产制造优良，则真空泵抽真空系统软件的反流及机器设备的漏汽并不会导致比较严重的危害。表l得出了真空电镀室内壁单分子层所吸咐的分子数Ns与液相中分子数N的比率近似值。一般在常见的高真空设备中，其中表层上所吸咐的单面分子数，远远地超出液相中的分子数。因而，除开挥发源在蒸镀全过程中所释放出来的汽体外，在密封性和抽真空系统软件特性均优良和清理的真空设备中，若标准气压处在10-4Pa时，从真空系统壁表层上解析出去的汽体分子结构便是真空设备内的关键汽体来源于。