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PECVD-4000型等离子体化学气相沉积设备

PECVD-4000型等离子体化学气相沉积设备

产品详情

PECVD-4000型: 三个沉积室+单样品送取样室,特别适用P-I-N膜层沉积或类似应用

应用方向:科研与小批量生产

产品优势:三个沉积室+单样品送取样室,特别适用P-I-N膜层沉积或类似应用

产品配置:

★样片数量及尺寸:1片Ф6英寸

★沉积材料:包括并不限于硅基(Si)薄膜、碳基(C)薄膜、硅锗合金(SiGe)、钨硅合金(WSi2)、W、SiC。

★沉积腔体:三个沉积室,均为高真空系统

★Load-Lock:低真空系统 或 高真空系统。单片装,样品自动运送。

★沉积不均匀性:±3%-±6%

★沉积速率:20-600nm/min(视具体材料与工艺)

★工作台:可升降,高度可调

★加热:常规加热,可选高温加热

★电源配置:射频;直流偏压

★气路数量与种类:每个沉积室标配4路气路 或 用户选配 

★光学性能监测:可选配椭偏仪在线监测系统

★渐变折射率薄膜制备:可选配快速流量变化与控制系统

操作模式:全自动+半自动控制

类似产品:双沉积室带预真空室(PECVD-802L)

设备详细结构与功能,请咨询销售工程师。


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